蔡树军

河北半导体研究所副所长

蔡树军研究员，美国UCLA电子工程系博士毕业，现任中国电科十三所科技委主任、副所长，电子科技大学、西安电子科技大学、北京理工大学兼职教授、博士生导师。长期从事微波半导体器件研究工作。发表专业文章170余篇。

张乃千

苏州能讯高能半导体有限公司董事长

张乃千1995年清华大学电子工程系本科毕业，2002年在加州大学圣塔巴巴拉分校获得电子工程博士学位。他于2007年回国创办了能讯半导体并任总裁。能讯是中国首家第三代半导体氮化镓电子器件设计与制造商业企业，自主进行氮化镓外延生长、晶圆制造、内匹配与封装等。

邱显钦

台湾长庚大学教授

邱教授2003年在台湾中央大学电机系固态组取得博士学位后，加入了亚洲第一家六吋砷化镓代工厂(现在世界最大砷化镓器件代工厂)-稳懋半导体。2004年加入台塑集团长庚大学电子系进行高速组件开发与毫米波集成电路设计并同时规划建立长庚大学化合物半导体无尘室及其相关半导体制程设备，2007年开始氮化镓高功率组件与高功率电路技术开发，2010年取得正教授资格。2009年加入长庚大学高速智能通讯研究中心并建立110GHz 高频量测与建模能力的毫米波核心实验室，2013年建立四吋氮化镓功率组件实验室开发氮化镓功率晶体管与驱动模块，氮化镓微波晶体管与模块。2012年担任长庚大学高速智能通讯研究中心主任，来年也担任长庚大学光电所所长。

Peter BRÜCKNER    

德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理

Peter Brückner于2004年获得乌尔姆大学电气工程工学硕士学位。之后，他成为乌尔姆大学光电子学研究所的科研人员，致力于氮化镓外延和独立氮化镓衬底领域的工学博士学位并于2008年获得博士学位。2008至2010年他在United Monolithic Semiconductors做GaN HEMT技术研发工程师。2011年他加入德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所，现在的重心在short gate-length GaN HEMT on SiC技术发展上。他现在负责蚀刻技术组，并领导着若干IAF项目。

刘建利  

中兴无线技术总工及技术委员会专家

刘建利，1989年7月毕业于西北工业大学无线电技术专业，在凌云电器总公司从事射频电路研发，期间获电子工业部科技进步奖，后赴日本进修。1998年9月加入中兴通讯，先后负责射频无线收发信机、PHS基站射频、WCDMA智能天线、基站射频功放平台等研发工作，历任射频研发工程师、系统工程师、项目经理、西安研究所射频开发室主任、中兴通讯射频功放平台总工等职，目前作为无线技术总工及公司技术委员会专家主要负责无线技术的研究及对外合作工作。发表论文4篇，申请专利10余项，其中美国专利2项。

刘志宏   

西安电子科技大学教授

刘志宏，分别于2001、2004和2011年获南开大学学士、中科院半导体所硕士和新加坡南洋理工大学博士学位。2007年加入新加坡南洋理工大学淡马锡实验室，任职Research Associate，负责氮化镓微波器件和MMIC制造技术的研发；2011年加入新加坡-麻省理工学院科研联盟中心（SMART），任职 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，科研方向为硅基氮化镓电子器件、氮化镓与硅CMOS异质集成等。2019年全职回国加入西安电子科技大学，任职教授。目前的研究方向为氮化镓等宽禁带半导体电子器件。

张凯

南京电子器件研究所高级工程师

张凯博士，于2014年毕业于西安电子科技大学微电子学院，2015年加入南京电子器件研究所微波毫米波单片集成与模块电路重点实验室。他专注于探索创造新颖的、先进的GaN器件，包括高线性GaN器件、太赫兹GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前为止，典型成果包括国际第一个具有优异功率性能的GaN FinFET器件，国内截止频率最高的SiC衬底上GaN器件、国际整体性能最优的Si基GaN高频器件（以上结论依据源于已发表文章、会议等），成果曾经两次被Semiconductor Today杂志专题报道。

张志国

北京国联万众半导体科技有限公司副总经理

张志国，博士、博士后、研究员，北京国联万众半导体科技有限公司副总经理,具有十五年宽禁带半导体研发、生产和管理经历，是国内较早在此领域开展研究人员之一。牵头建立了国内首个GaN微波功率器件工艺技术研发平台，编写了国内首套研发工艺和检验规范。基于此平台后续研制的GaN微波功率器件和芯片产值超亿元。研制出国内第一支瓦级GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，为后续规模应用奠定工艺和理论基础。开发了国内首个X波段GaN MMIC工程化产品，形成详细规范并在系统中进行验证和试用。先后承担和参与十几项国家重大专项、北京市重大项目等，发表论文四十余篇。作为专家参与多项国家级和北京市宽禁带半导体规划工作。